APD de 800 nm

Model: GD5210Y-1-2-TO46/ GD5210Y-1-5-TO46/ GD5210Y-1-2-LCC3/ GD5210Y-1-5-LCC3

Descripció breu:

Es tracta d'un fotodíode d'allau de Si que proporciona una alta sensibilitat que va des dels UV fins al NIR.La longitud d'ona de resposta màxima és de 800 nm.

obtenir pressupost descarregar

Paràmetre tècnic

Etiquetes de producte

Característiques

Xip pla il·luminat frontal
Resposta d'alta velocitat
Alt guany d'APD
Capacitat d'unió baixa
Baix soroll

Aplicacions

Distància làser
Radar làser
Avís làser

Paràmetre fotoelèctric（@Ta=22±3℃）

Article #	Categoria del paquet	Diàmetre de la superfície fotosensible (mm)	Interval de resposta espectral (nm)	Longitud d'ona de resposta màxima	Responsivitat λ=800nm φe=1μW M=100 (A/W)	Temps de resposta λ=800nm R_L=50Ω （ns）	Corrent fosc M=100 (nA)		Coeficient de temperatura Ta = -40 ℃ ~ 85 ℃ （V/℃）	Capacitat total M=100 f = 1 MHz （pF）	Tensió de ruptura I_R= 10μA （V）
							Tip.	Màx.			Min	Màx
GD5210Y-1-2-TO46	A-46	0,23	400~1100	800	55	0,3	0,05	0,2	0,5	1.5	80	160
GD5210Y-1-5-TO46	A-46	0,50					0,10	0,4		3.0
GD5210Y-1-2-LCC3	LCC3	0,23					0,05	0,2		1.5
GD5210Y-1-5-LCC3	LCC3	0,50					0,10	0,4		3.0