Mòduls PIN Si 850nm

Model: GD4213Y/ GD4251Y/ GD4251Y-A/ GD42121Y

Descripció breu:

Es tracta d'un mòdul de fotodíode Si PIN de 850 nm amb un circuit de preamplificació que permet amplificar el senyal de corrent feble i convertir-lo en senyal de tensió per aconseguir el procés de conversió de l'amplificació del senyal fotoelèctric.

obtenir pressupost descarregar

Paràmetre tècnic

Etiquetes de producte

Característiques

Resposta d'alta velocitat
Alta sensibilitat

Aplicacions

Fusible làser

Paràmetre fotoelèctric（@Ta=22±3℃）

Article #	Categoria del paquet	Diàmetre de la superfície fotosensible (mm)	Responsivitat	Temps de pujada (ns)	Rang dinàmic （dB）	Tensió de funcionament (V)	Tensió de soroll (mV)	Notes
Article #	Categoria del paquet	Diàmetre de la superfície fotosensible (mm)	λ=850nm, φ_e= 1 μW		λ=850nm	Tensió de funcionament (V)	Tensió de soroll (mV)	Notes
GD4213Y	A-8	2	110	12	20	±5±0,3	12	-
GD4251Y		2	130	12	20	±6±0,3	40	(Angle d'incidència: 0°, transmitància de 830nm ~ 910nm ≥90%
GD4251Y-A		10×1,5	130	18	20	±6±0,3	40
GD42121Y		10×0,95	110	20	20	±5±0,1	25
Notes: la càrrega de prova del GD4213Y és de 50Ω, la resta són 1MΩ