APD de 905 nm

Model: GD5210Y-2-2-TO46/ GD5210Y-2-5-TO46/ GD5210Y-2-8-TO46/ GD5210Y-2-2-LCC3/ GD5210Y-2-5-LCC3/ GD5210Y-2-2-P/ GD5210Y-2-5-P/ Matriu

Descripció breu:

Es tracta d'un fotodíode d'allau de Si que proporciona una alta sensibilitat que va des dels UV fins al NIR.La longitud d'ona de resposta màxima és de 905 nm.

obtenir pressupost descarregar

Paràmetre tècnic

Etiquetes de producte

Característiques

Xip pla il·luminat frontal
Resposta d'alta velocitat
Alt guany d'APD
Capacitat d'unió baixa
Baix soroll
La mida de la matriu i la superfície fotosensible es poden personalitzar.

Aplicacions

Distància làser
Radar làser
Avís làser

Paràmetre fotoelèctric（@Ta=22±3℃）

Article #	Categoria del paquet	Diàmetre de la superfície fotosensible (mm)	Interval de resposta espectral (nm)	Longitud d'ona de resposta màxima (nm)	Responsivitat λ = 905 nm φe=1μW M=100 (A/W)	Temps de resposta λ = 905 nm R_L=50Ω （ns）	Corrent fosc M=100 (nA)		Coeficient de temperatura Ta = -40 ℃ ~ 85 ℃ （V/℃）	Capacitat total M=100 f = 1 MHz （pF）	Desglossament voltatge I_R= 10μA （V）
Article #	Categoria del paquet	Diàmetre de la superfície fotosensible (mm)	Interval de resposta espectral (nm)	Longitud d'ona de resposta màxima (nm)	Responsivitat λ = 905 nm φe=1μW M=100 (A/W)	Temps de resposta λ = 905 nm R_L=50Ω （ns）	Tip.	Màx.	Coeficient de temperatura Ta = -40 ℃ ~ 85 ℃ （V/℃）	Capacitat total M=100 f = 1 MHz （pF）	Min	Màx
GD5210Y-2-2-TO46	A-46	0,23	400~1100	905	55	0,6	0,2	1.0	0,9	1.0	130	220
GD5210Y-2-5-TO46	A-46	0,50					0,4	1.0		1.2
GD5210Y-2-8-TO46	A-46	0,80					0,8	2.0		2.0
GD5210Y-2-2-LCC3	LCC3	0,23					0,2	1.0		1.0
GD5210Y-2-5-LCC3	LCC3	0,50					0,4	1.0		1.2
GD5210Y-2-2-P	Paquet de plàstic	0,23					0,2	1.0		1.0
GD5210Y-2-5-P	Paquet de plàstic	0,50					0,4	1.0		1.2
Matriu	PCB	Personalitzat				Segons la superfície fotosensible	Segons la superfície fotosensible			Segons la superfície fotosensible	160	200