Imatge destacada de la sèrie 905nmAPD d'un sol tub

Sèrie de tub únic 905nmAPD

Model: GD5210Y-2-2-T046 / GD5210Y-2-5-T046 / GD5210Y-2-8-T046 / GD5210Y-2-2-LCC3 / GD5210Y-2-5-LCC3 / GD5210Y-2-2-P GD5210Y-2-5-P

Descripció breu:

El dispositiu és un fotodíode d'allau de silici, la resposta espectral va des de la llum visible fins a l'infraroig proper i la longitud d'ona de resposta màxima és de 905 nm.

obtenir pressupost descarregar

Paràmetre tècnic

CARACTERÍSTIQUES

APLICACIÓ

Etiquetes de producte

Característiques fotoelèctriques (＠Ta＝22±3℃)
Model		GD5210Y-2-2-T046	GD5210Y-2-5-T046	GD5210Y-2-8-T046	GD5210Y-2-2-LCC3	GD5210Y-2-5-LCC3	GD5210Y-2-2-P	GD5210Y-2-5-P	Matriu
Formulari del paquet		A-46	A-46	A-46	LCC3	LCC3	envasos de plàstic	envasos de plàstic	PCB
Diàmetre de la superfície fotosensible (mm)		0,23	0,50	0,80	0,23	0,50	0,23	0,50	personalitzat
Interval de resposta espectral (nm)		400~1100	400~1100	400~1100	400~1100	400~1100	400~1100	400~1100	400~1100
Longitud d'ona de resposta màxima (nm)		905	905	905	905	905	905	905	905
Capacitat de resposta λ=905nm Φ=1μW M=100 (A/W)		55	55	55	55	55	55	55	55
Corrent fosc M=100 (nA)	Típic	0,2	0,4	0,8	0,2	0,4	0,2	0,4	Segons la fotosensibilitat
Corrent fosc M=100 (nA)	Màxim	1.0	1.0	2.0	1.0	1.0	1.0	1.0	Un costat
Temps de resposta λ=905nm R1=50Ω(ns)		0,6	0,6	0,6	0,6	0,6	0,6	0,6	Segons la superfície fotosensible
Coeficient de temperatura de tensió de treball T = -40 ℃ ~ 85 ℃ (V/℃)		0,9	0,9	0,9	0,9	0,9	0,9	0,9	0,9
Capacitat total M=100 f=1MHz(pF)		1.0	1.2	2.0	1.0	1.2	1.0	1.2	Segons la superfície fotosensible
tensió de ruptura IR=10μA(V)	Mínim	130	130	130	130	130	130	130	160
tensió de ruptura IR=10μA(V)	Màxim	220	220	220	220	220	220	220	200

Anterior: Sèrie de tub únic 800nmAPD

Pròxim: Sèrie d'un sol tub 1064nmAPD

Estructura d'encenall de pla frontal

Resposta d'alta velocitat

Alt guany

Capacitat d'unió baixa

Baix soroll

La mida de la matriu i la superfície fotosensible es poden personalitzar

Distància làser

Lidar

Avís làser