Sèrie de mòduls InGaAS-APD

Model: GD6510Y / GD6511Y / GD6512Y

Descripció breu:

El dispositiu és un mòdul de fotodíode d'allau InGaAs amb un circuit preamplificador integrat, que pot convertir els febles.Després d'amplificar el senyal actual, es converteix en una sortida de senyal de tensió per realitzar el procés de conversió d'"amplificació del senyal òptic-elèctric".

obtenir pressupost descarregar

Paràmetre tècnic

CARACTERÍSTIQUES

APLICACIÓ

Etiquetes de producte

Característiques fotoelèctriques (＠Ta＝22±3℃)
Model	GD6510Y	GD6511Y	GD6512Y
Formulari del paquet	A-8	A-8	A-8
Diàmetre de la superfície fotosensible (mm)	0,2	0,5	0,08
Interval de resposta espectral (nm)	1000 ~ 1700	1000 ~ 1700	1000 ~ 1700
Tensió de ruptura (V)	30~70	30~70	30~70
Resposta M=10 l=1550nm(kV/W)	340	340	340
Temps de pujada (ns)	5	10	2.3
Ample de banda (MHz)	70	35	150
Potència de soroll equivalent (pW/√Hz)	0,15	0,21	0,11
Coeficient de temperatura de tensió de treball T = -40 ℃ ~ 85 ℃ (V/℃)	0,12	0,12	0,12
Concentricitat (μm)	≤50	≤50	≤50
Models alternatius del mateix rendiment a tot el món	C3059-1550-R2A	/	C3059-1550-R08B

Estructura d'encenall de pla frontal

Resposta ràpida

Alta sensibilitat del detector

Distància làser

Lidar

Advertència làser