Si PIN de quatre quadrants

Model: GT111/ GT112/ GD3250Y/ GD3249Y/ GD3244Y/ GD3245Y/ GD32413Y/ GD32414Y/ GD32415Y

Descripció breu:

Consta de quatre mateixes unitats de fotodíode Si PIN que funciona a l'inrevés i proporciona una alta sensibilitat que va des dels UV fins al NIR.La longitud d'ona de resposta màxima és de 980 nm.Resposta: 0,5 A/W a 1064 nm.

obtenir pressupost descarregar

Paràmetre tècnic

Etiquetes de producte

Característiques

Corrent fosc baix
Resposta alta
Bona consistència del quadrant
Petita zona cega

Aplicacions

Orientació làser, orientació i seguiment
Per a dispositiu d'exploració
Microposicionament làser, monitorització de desplaçaments i sistemes de mesura precisa

Paràmetre fotoelèctric（@Ta=25℃）

Article #	Categoria del paquet	Diàmetre de superfície fotosensible (mm)	Interval de resposta espectral (nm)	longitud d'ona de resposta màxima	Responsivitat λ = 1064 nm (kV/W)	Corrent fosc (nA)	Temps de pujada λ = 1064 nm R_L=50Ω(ns)	Capacitat de la unió f = 1 MHz (pF)	Tensió de ruptura （V）
GT111	A-8	Ф4	400~1100	980	0,3	5 (V_R=40 V)	15 (V_R=40 V)	5 (V_R= 10 V)	100
GT112		Ф6				7 (V_R=40 V)	20 (V_R=40 V)	7 (V_R= 10 V)
GD3250Y		Ф8				10 (V_R=40 V)	25 (V_R=40 V)	10 (V_R= 10 V)
GD3249Y	A-20	Ф10				15 (V_R=40 V)	30 (V_R=40 V)	15 (V_R= 10 V)
GD3244Y	TO-31-7	Ф10			0,4	20 (V_R=135 V)	20 (V_R=135 V)	10 (V_R=135 V)	300
GD3245Y	TO-31-7	Ф16				50 (V_R=135 V)	30 (V_R=135 V)	20 (V_R=135 V)
GD32413Y	MBCY026-P6	Ф14				40 (V_R=135 V)	25 (V_R=135 V)	16 (V_R=135 V)
GD32414Y	A-8	Ф5.3	400~1150		0,5	4,8 (V_R=140 V)	15 (V_R=140 V)	4.2 (V_R=140 V)	≥300
GD32415Y	MBCY026-W7W	Ф11.3	400~1150		0,5	≤20 (V_R=180 V)	20 (V_R=180 V)	10 (V_R=180 V)	≥300